18禁无遮挡羞羞污污污污网站,国模精品一区二区三区,狠狠色噜噜色狠狠狠综合久久,chinese猛男自慰gv网站

文章詳情

薄膜沉積

日期:2025-02-26 23:11
瀏覽次數(shù):984
摘要:在基片上沉積各種材料的薄膜是微納加工的重要手段之一,主要方法有化學(xué)氣相沉積、蒸發(fā)、濺射等。平臺(tái)現(xiàn)有多臺(tái)薄膜沉積設(shè)備
在基片上沉積各種材料的薄膜是微納加工的重要手段之一,主要方法有化學(xué)氣相沉積、蒸發(fā)、濺射等。平臺(tái)現(xiàn)有多臺(tái)薄膜沉積設(shè)備,包括:沉積介質(zhì)薄膜的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(PECVD)和低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)爐管;沉積金屬、磁性材料和化合物等多樣材料的電子束蒸發(fā)鍍膜設(shè)備和多靶磁控濺射鍍膜系統(tǒng)。

薄膜沉積厚度范圍從納米級(jí)到微米級(jí)。

liqi相沉積(PVD)是指在真空狀態(tài)下,加熱源材料,使原子或分子從源材料表面逸出從而在襯底上生長(zhǎng)薄膜的方法。物liqi相沉積的主要方法有,真空電子束或電阻蒸鍍、濺射鍍膜、電弧等離子體鍍、離子鍍膜,及分子束外延等。AEMD的電子束蒸發(fā)系統(tǒng)和濺射系統(tǒng)都屬于物**相沉積。

化學(xué)氣相沉積(CVD)是使氣態(tài)物質(zhì)在固體的表面上發(fā)生化學(xué)反應(yīng)并在該表面上沉積,形成穩(wěn)定的固態(tài)薄膜的過(guò)程。主要分為四個(gè)重要的階段:1、反應(yīng)氣體向基體表面擴(kuò)散;2、反應(yīng)氣體吸附于基體表面;3、在基體表面上產(chǎn)生的氣相副產(chǎn)物脫離表面;4、留下的反應(yīng)物形成覆層。采用等離子和激光輔助等技術(shù)可以顯著地促進(jìn)化學(xué)反應(yīng),使沉積可在較低的溫度下進(jìn)行。

原子層沉積(ALD)是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層的鍍?cè)诨妆砻娴姆椒?。原子層沉積與普通的化學(xué)沉積有相似之處。但在原子層沉積過(guò)程中,新一層原子膜的化學(xué)反應(yīng)是直接與之前一層相關(guān)聯(lián)的,使這種方式每次反應(yīng)只沉積一層原子。

表1.各種薄膜沉積方式的優(yōu)劣對(duì)比

項(xiàng)目 原子層沉積(ALD) 物liqi相沉積(PVD) 化學(xué)氣相沉積(CVD) 低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD爐管)
沉積原理   表面反應(yīng)-沉積   蒸發(fā)-凝固   氣相反應(yīng)-沉積   低壓化學(xué)氣相沉積(爐管式)
沉積過(guò)程   層狀生長(zhǎng)   形核長(zhǎng)大   形核長(zhǎng)大   形核長(zhǎng)大
臺(tái)階覆蓋力   優(yōu)良   一般   好   好
沉積速率   慢   快   快 較慢
沉積溫度   低   低   高 更高
沉積層均勻性   youxiu   一般   較好 更好
厚度控制   反應(yīng)循環(huán)數(shù)   沉積時(shí)間   沉積時(shí)間,氣相分壓 沉積時(shí)間,氣體比
成分   均勻雜質(zhì)少   無(wú)雜質(zhì)   易含雜質(zhì) 無(wú)雜質(zhì)
表2. 薄膜沉積設(shè)備概況

沉積材料 薄膜沉積設(shè)備 特點(diǎn) 工藝溫度
氧化硅
氮化硅
氮氧化硅
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) PECVD, 高溫 300-400℃
電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備 ICPCVD, 低溫沉積二氧化硅,氮化硅薄膜 <70℃或<300℃
電子束蒸發(fā)鍍膜設(shè)備(E-Gun) 可實(shí)現(xiàn)+/-45度的斜角蒸發(fā)。 RT-200℃
多靶磁控濺射鍍膜系統(tǒng) 氧化硅
可實(shí)現(xiàn)原位基片清洗、多層復(fù)合薄膜、多靶共濺復(fù)合薄膜沉積;
RT-60℃
等離子體增強(qiáng)原子層沉積設(shè)備 沉積多種超薄高保形性、高臺(tái)階覆蓋能力的介質(zhì)薄膜材料,如金屬氧化物,厚度可實(shí)現(xiàn)原子層的控制(1 atom-layer/cycle)。 室溫?500°C
臥式氧化擴(kuò)散爐管(WDFSOXD03) 1. 高品質(zhì)氧化硅的干氧氧化;
2. 超厚氧化硅的濕氧氧化。
1100℃
臥式低壓化學(xué)氣相沉積爐管(WDFSLPF02) 1. 高品質(zhì)氮化硅(Si3N4)薄膜沉積; 2. 高品質(zhì)低應(yīng)力氮化硅(Si3N4)薄膜沉積; 3. 氮氧化硅薄膜沉積。 750℃
金屬薄膜 電子束蒸發(fā)鍍膜設(shè)備(E-Gun) 可實(shí)現(xiàn)+/-45度的斜角蒸發(fā)。 22℃-200℃
多靶磁控濺射鍍膜系統(tǒng) 1. 多種金屬
2. 可實(shí)現(xiàn)原位基片清洗、多層復(fù)合薄膜、多靶共濺復(fù)合薄膜沉積;
3. 原位基片加熱(250℃)。
22℃—60℃
超高真空濺射系統(tǒng) 磁性材料濺射需與平臺(tái)聯(lián)系確認(rèn)。 烘烤溫度≤300℃
離子束濺射系統(tǒng) 1. 沉積各類金屬薄膜;
2. 磁性材料沉積需與平臺(tái)聯(lián)系確認(rèn)。
靶面溫度≤100℃,
臺(tái)面溫度5℃-25℃
電子束蒸發(fā)系統(tǒng) 蒸鍍鋁、銅、銀、鉭等薄膜, 烘烤溫度≤300℃
器件實(shí)驗(yàn)制備系統(tǒng) 金屬Al的蒸鍍 烘烤溫度≤200℃
非晶硅
多晶硅
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 非晶硅沉積 300-400℃
臥式低壓化學(xué)氣相沉積爐管(WDFSLPF01) 1. 高品質(zhì)非晶硅或多晶硅沉積;
2. 非晶硅及多晶硅沉積時(shí)的同步N型摻雜。
530℃
金屬氧化物
金屬氮化物
氧化物半導(dǎo)體薄膜
多靶磁控濺射鍍膜系統(tǒng) 1. 可實(shí)現(xiàn)原位基片清洗、多層復(fù)合薄膜、多靶共濺復(fù)合薄膜沉積;
2. 原位金屬氧化與氮化薄膜沉積;
3. 原位基片加熱(250℃)。
22℃—60℃
等離子體增強(qiáng)原子層沉積設(shè)備 沉積多種超薄高保形性、高臺(tái)階覆蓋能力的介質(zhì)薄膜材料,厚度可實(shí)現(xiàn)原子層的控制(1 atom-layer/cycle)。沉積較慢,厚膜需要較長(zhǎng)時(shí)間。 室溫?500°C
全自動(dòng)多靶濺鍍系統(tǒng) 以氧化物半導(dǎo)體薄膜為主 基板加熱系統(tǒng):≤300℃
表3. 金屬薄膜沉積能力概況


Au
Al Cu Ni Cr Pt Sn Ge Ti Ta Mo W Ag Pd
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備
電子束蒸發(fā)鍍膜設(shè)備
多靶磁控濺射鍍膜系統(tǒng)
等離子增強(qiáng)原子層沉積設(shè)備
超高真空濺射機(jī)
離子束濺射系統(tǒng)
全自動(dòng)多靶磁控濺射儀
電子束蒸發(fā)系統(tǒng)
器件實(shí)驗(yàn)制備系統(tǒng)


豫公網(wǎng)安備 41019702002438號(hào)

国产vpswindows精品| 久久精品人妻少妇一区二区三区| 半夜洗澡被老头添一夜| 男女做爰猛烈叫床视频动态图| 亚洲AV成人片无码网站玉蒲团| 久久精品国产精品国产精品污 | 饥渴偷公乱第400章| 天堂8在线天堂资源bt| xx性欧美肥妇精品久久久久久 | 日韩精品一区二区三区色欲AV | 精品毛片乱码1区2区3区| 国产在线精品一区二区三区不卡| 免费做爰猛烈吃奶摸视频在线观看 | 国内精品无码一区二区三区| 好硬啊进一得太深了a片 | 又硬又粗进去好爽a片潘金莲| H高潮娇喘抽搐A片国产麻豆| 天堂中文最新版在线官网在线| 久久综合九色综合欧美狠狠| 国产精品日本一区二区在线播放| 伊人激情av一区二区三区| 扒开双腿抽打花蒂惩罚室| 久久综合99re88久久爱| 亚洲成色WWW久久网站| 善良的小峓子hd完整视频中文| 全部免费毛片在线播放| 国产日韩av在线播放| 神马影院我不卡影院| 在线观看免费a∨网站| 岳丰满多毛的大隂户| 无码人妻精品一区二区三区久久久| 国产在线拍小情侣国产拍拍偷| 久久久久人妻一区二区三区| 欧美FREESEX黑人又粗又大 | 天堂8在线天堂资源bt| 岳的又肥又大又紧水有多视频| 亚洲精品在线观看| 欧美性白人极品1819hd| 日韩人妻精品一区二区三区视频| 先锋av资源| 欧美巨大另类极品videosbest|